Ein solcher Weg zur Veredelung der Oxydschicht war zwar neu, doch nur labormäßig gangbar. (Quelle: Welt 1996)
Zwar wurde dieses Aloxidationsverfahren bereits seit längerem in der Leichtmetallindustrie angewendet, doch sorgten die im Elektrolysebad gelösten Sulfat-Ionen für gewisse Unsauberkeiten innerhalb der Oxydschicht. (Quelle: Welt 1996)
Während eines nachfolgenden Diffusionsvorgangs können Dotierungsstoffe nur durch die Öffnungen in der Oxydschicht ins Innere des Siliziumkristalls eindringen. (Quelle: Schneider: Lexikon Informatik)